研究者一覧

安全で安心なシステムづくりのためのデバイス技術・分析評価技術

名前遠藤和弘 工学博士
所属大学院工学研究科高信頼ものづくり専攻　教授
E-mailkendo@neptune.kanazawa-it.ac.jp
研究内容新しい次世代酸化物デバイスの実現を目指して、その鍵となる新奇酸化物の探査と高品質な酸化物薄膜の作製・評価

　シリコン・デバイスにはない機能を持つ新しい次世代酸化物デバイスの実現を目指して,新しい薄膜成長法開発,新奇酸化物の探索と高品質な酸化物薄膜の作製・評価を行う．

 

  • 研究分野

酸化物エレクトロニックス,固体原料を用いた有機金属化学気相成長法（SSMOCVD法）,高温酸化物超電導体,不揮発メモリー用新奇強誘電体,ビスマス系2223酸化物薄膜, 高性能・高品質酸化物単結晶薄膜,固有ジョセフソンデバイス,人工ジョセフソンデバイス,析出物皆無,平坦性・配向性制御.

 

  • 所属学会

応用物理学会，電気学会, 米国材料科学会等

 

  • 現在の研究課題

・  次世代デバイス用高品質新奇酸化物薄膜の作製・評価.

 

  • 採択研究プロジェクト

・  平成18年度　(独)物質材料研究機構（NIMS）委託研究

・  平成19年度　(独)物質材料研究機構（NIMS）委託研究

 

  • 主な研究業績

・  K. Endo, H. Yamasaki, S. Misawa, S. Yoshida, K. Kajimura、“High-Quality Superconducting Thin Films of Bi2Sr2Ca2Cu30x Grown in situ by Metalorganic CVD”, Nature 355, 327, 1992.

・  K. Endo, P. Badica, H. Sato, H. Akoh, “Growth of High-Quality Precipitate-Free Thin Films Suitable for Electronic Devices: A New Concept for Substrates”， Advanced Materials，16-21, 1894, 2004.

・  北国新聞「パソコン処理能力が数百倍に、金工大教授が新型の「薄膜」開発」、遠藤和弘、2007.7.1.

・  K. Endo, P. Badica, “Growth by MOCVD of (001) Bi-2223 Superconducting Thin Films on (001) and (110) MgO Substrates”, J. Phys., 97, 012202, 2008.

 

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